onsemi CPH3351-TL-W
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Flip Electronics | CPH3351-TL-W | 88.500 | 6d | |||||||||
| Avnet | CPH3351-TL-W | 0 | 2500 | 16h | ||||||||
| Farnell | CPH3351-TL-W | 0 | 5 | Cut Tape | 1d | |||||||
| Microchip USA | CPH3351-TL-W | 153 | 3500 | 7h | ||||||||
| Weyland Electronics Group Pte. Ltd. | CPH3351-TL-W | 152.056 | 1 | Tape & Reel | 17h |
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3-Monats-Trend: -7.58%
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-03-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2021-07-05
LTD Date2022-07-05
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
onsemiFDN5632N-F085
Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
InfineonBSS138NH6433XTMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 230 mA, 3.5 Ohm, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi CPH3351-TL-W, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single P-Channel 60 V 1 W 6 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
P-Channel Power MOSFET, -60V, -1.8A, 250mΩ
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236
Transistor Polarity:p Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:1.8A; On Resistance Rds(On):0.19Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.6V Rohs Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-236-3
Contact PlatingTin Bismuth
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance250 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance262 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation1 W
Rds On Max250 mΩ
Rise Time5.4 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1.2 V
Turn-Off Delay Time34 ns
Turn-On Delay Time5.1 ns
Dimensions
Height1.05 mm
Datenblätter und Dokumente
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