onsemi FDN8601
$ 0.24
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -72.54%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
CAD-Modelle
Laden Sie onsemi FDN8601 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | 3D | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Lieferkette
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-07-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
InfineonIRLML0100TRPBF
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package, SOT23-3, RoHS
Diodes Inc.ZXMP10A13FQTA
P-Ch MOSFET 100V 20V 4V@250µA 1.8nC@5V 1Ω@600mA,10V 600mA 141pF@50V SOT-23-3 SMD 1.12mm H
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDN8601, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET, N CH, 100V, 2.7A, SSOT-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drai
FDN8601 Series 100 V 2.7 A 109 mOhm N-Ch PowerTrench Mosfet - SuperSOT-3
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 2.7A, 109mΩ
onsemi N-Ch PowerTrench MOSFET Vds=100V 2.7A SOT-23 SMD 3-Pin
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has been optimized for rDS(on), switching performance and ruggedness.
MOSFET, N CH, 100V, 2.7A, SSOT-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.7A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0854ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:1.5W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SuperSOT; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -72.54%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance109 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance210 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation1.5 W
Rds On Max109 mΩ
Rise Time1.3 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time7.8 ns
Turn-On Delay Time4.3 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length1.4 mm
Width2.92 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen