onsemi FDN8601

Name: onsemi FDN8601
Brand: onsemi
SKU: FDN8601

MOSFET, N CH, 100V, 2.7A, SSOT-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drai

$ 0.19

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		FDN8601	6.000	3K						0,178	3d
Newark	3	FDN8601	1	1	Cut Tape	0,145	0,145	0,145	0,145	0,145
Verical	8	FDN8601	3.000	3K						0,188
Arrow Electronics	4	FDN8601	1.539	1		0,253	0,233	0,210	0,191	0,191
Master Electronics		FDN8601	8.800	100				0,200	0,184	0,170

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IHS

Datasheet7 SeitenVor 2 Jahren

Datasheet6 SeitenVor 15 Jahren

Upverter

JRH Electronics

onsemi

Farnell

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Lieferkette

Country of OriginPhilippines

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2010-07-13

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDN8601, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, N CH, 100V, 2.7A, SSOT-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drai

Newark

FDN8601 Series 100 V 2.7 A 109 mOhm N-Ch PowerTrench Mosfet - SuperSOT-3

Future Electronics

N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 2.7A, 109mΩ

onsemi

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has been optimized for rDS(on), switching performance and ruggedness.

Fairchild Semiconductor

MOSFET, N CH, 100V, 2.7A, SSOT-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.7A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0854ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:1.5W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SuperSOT; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited

Farnell

Bilder

Future Electronics

Farnell

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-23-3

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight30 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)2.7 A

Drain to Source Breakdown Voltage100 V

Drain to Source Resistance109 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)100 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time3.4 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance210 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation1.5 W

Min Breakdown Voltage100 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs3 V

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

Power Dissipation1.5 W

Rds On Max109 mΩ

Rise Time1.3 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage3 V

Turn-Off Delay Time7.8 ns

Turn-On Delay Time4.3 ns

Dimensions

Height1.12 mm

Length1.4 mm

Width2.92 mm

Datenblätter und Dokumente

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