Infineon IRLML0100TRPBF
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-11-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.DMN10H700S-13
MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23 / N-Channel 100 V 700mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Diodes Inc.DMN10H700S-7
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 700 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Surface Mount
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRLML0100TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 1.6 A, 220 Milliohms, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package, SOT23-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET Transistor; 100V; 1.6A; 1.3W; -55+150stc; SOT233
N CHANNEL MOSFET, 100V, 1.6A SOT-23; TRA; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.6A;
MOSFET, 100V, 1.6A, 220 MOHM, 2.5 NC QG, SOT-23
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SOT-23 Polarity: N Power dissipation: 1.3 W
100V 1.6A 1.3W 220m´Î@10V1.6A 2.5V@25Ã×A N Channel SOT-23(SOT-23-3) MOSFETs ROHS
Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:1.6A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.5V; Power Dissipation:1.3W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRLML0100TRPBF.
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance220 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance290 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.3 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance220 mΩ
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation1.3 W
Rds On Max220 mΩ
Recovery Time30 ns
Resistance220 MΩ
Rise Time2.1 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time9 ns
Turn-On Delay Time2.2 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length3.0226 mm
Width1.397 mm
Datenblätter und Dokumente
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