onsemi FDN358P

Name: onsemi FDN358P
Brand: onsemi
SKU: FDN358P

P-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, -30V, -1.5A, 125mΩ

$ 0.156

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Future Electronics	2	FDN358P	333.000	3K	Tape & Reel					0,144
Avnet	2	FDN358P	72.000	3K						0,110	2d
Newark	3	FDN358P	72.000	3K	Tape & Reel
Verical	2	FDN358P	3.000	3K						0,138
Arrow Electronics	2	FDN358P	15	1		0,275	0,146	0,146	0,146	0,146

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IHS

Datasheet7 SeitenVor 3 Jahren

Datasheet5 SeitenVor 23 Jahren

JRH Electronics

Upverter

onsemi

Farnell

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Lieferkette

Country of OriginPhilippines

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1998-03-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDN358P, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

P-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, -30V, -1.5A, 125mΩ

onsemi

Power MOSFET, P Channel, 30 V, 1.6 A, 0.125 ohm, SOT-23, Surface Mount

Avnet

MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Marking: 358 Drive: logic level Housing type: SOT-23 Polarity: P Power dissipation: 500 mW

Distrelec

MOSFET, P, SOT-23; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: 1.6A; Drain Source Voltage Vds: -30V; On Resistance Rds(on): 0.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -1.9V; Power Dissipati

Farnell

This P-Channel Logic Level MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor advanced Power Trench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior sw itching performance. These devices are well suited for portable electronics applications: load switching and power management, battery charging circuits, and DC/DC conversion.

Fairchild Semiconductor

Bilder

Rochester Electronics

Micros

Component Sense

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-23

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight30 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)1.5 A

Current Rating-1.5 A

Drain to Source Breakdown Voltage-30 V

Drain to Source Resistance125 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V

Dual Supply Voltage-30 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time13 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance182 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation500 mW

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs-1.9 V

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingCut Tape

Power Dissipation460 mW

Rds On Max125 mΩ

Resistance125 MΩ

Rise Time13 ns

Schedule B8541210080

Threshold Voltage-1.9 V

Turn-Off Delay Time12 ns

Turn-On Delay Time5 ns

Voltage Rating (DC)-30 V

Dimensions

Height1.22 mm

Length2.92 mm

Width3.05 mm

Datenblätter und Dokumente

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