onsemi FDN357N

Name: onsemi FDN357N
Brand: onsemi
SKU: FDN357N

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 1.9A, 90mΩ

$ 0.202

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	3	FDN357N	1.126	5556						0,120	3d
Newark	3	FDN357N	104	1	Cut Tape	0,803	0,501	0,323	0,247	0,247
Verical	8	FDN357N	60.000	3K						0,148
Arrow Electronics	3	FDN357N	3.000	1		0,419	0,302	0,248	0,202	0,150
Master Electronics		FDN357N	7.450	250					0,131	0,126

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IHS

Datasheet5 SeitenVor 28 Jahren

Datasheet7 SeitenVor 3 Jahren

Upverter

Future Electronics

onsemi

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Lieferkette

Country of OriginPhilippines

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1998-03-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDN357N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 1.9A, 90mΩ

onsemi

MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Marking: 357 Drive: logic level Housing type: SOT-23 Polarity: N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 500 mW

Distrelec

MOSFET, N, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):80mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.6V; Power Dissipation Pd:500mW; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:1.9A; Current Temperature:25°C; External Depth:2.5mm; External Length / Height:1.12mm; External Width:3.05mm; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:500mW; Power Dissipation Pd:500mW; Pulse Current Idm:10A; SMD Marking:357; Tape Width:8mm; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:1.6V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC

SuperSOT™-3 N-Channel logic level enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage applications in notebook computers, portable phones, PCMCIA cards, and other battery powered circuits where fast switching, and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.

Fairchild Semiconductor

Bilder

Rochester Electronics

Conrad

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

FDN357N.

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-23

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight30 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)1.9 A

Current Rating1.9 A

Drain to Source Breakdown Voltage30 V

Drain to Source Resistance60 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)30 V

Dual Supply Voltage30 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time12 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance235 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation500 mW

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs1.6 V

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingCut Tape

Power Dissipation500 mW

Rds On Max60 mΩ

Resistance60 MΩ

Rise Time12 ns

Schedule B8541210080

TerminationSMD/SMT

Threshold Voltage1.6 V

Turn-Off Delay Time12 ns

Turn-On Delay Time5 ns

Voltage Rating (DC)30 V

Dimensions

Height1.12 mm

Length2.92 mm

Width3.05 mm

Datenblätter und Dokumente

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