Diodes Inc. ZXM61P03FTA
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6
1
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
SOT-23
SOT-23
Drain to Source Voltage (Vdss)
-30 V
-30 V
Continuous Drain Current (ID)
1.1 A
1.1 A
Threshold Voltage
1 V
-1 V
Rds On Max
350 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
-
Power Dissipation
625 mW
625 mW
Input Capacitance
140 pF
-
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-07-22
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2026-10-28
LTD Date2027-04-28
Verwandte Teile
Diodes Inc.ZXM61N03FTA
ZXM61N03F Series 30 V 1.4 A 220 mOhm N-Channel Enhancement Mode Mosfet-SOT-23-3
InfineonBSS316NH6327XTSA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 1.4 A, 160 mOhm, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
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Power MOSFET, Low Voltage, P Channel, 30 V, 1.6 A, 0.21 ohm, SOT-23, Surface Mount
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ZXMN3A01 Series 30 V 0.12 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. ZXM61P03FTA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
ZXM61P03F 30 V 0.35 Ohm P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET - SOT-23
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 1.1 A, 0.35 ohm, SOT-23, Surface Mount
30 V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, P SOT-23 REEL 3K; Transistor Polarity:P; Max Current Id:-1.1A; Max Voltage Vds:30V; On State Resistance:0.35ohm; Rds Measurement Voltage:10V; Max Voltage Vgs:-20V; Power Dissipation:625mW; Operating Temperature Range:-55ºC to +150ºC; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; Case Style:SOT-23; Cont Current Id:1.1A; Current Temperature:25°C; Max Junction Temperature Tj:150°C; Max On State Resistance:0.35ohm; Max Power Dissipation Ptot:625W; Min Junction Temperature, Tj:-55°C; Min Voltage Vgs th:-1V; No. of Transistors:1; Power Dissipation Pd:625W; Pulse Current Idm:4.3A; Reel Quantity:3000; SMD Marking:P03; Tape Width:8mm; Termination Type:SMD; Transistor Type:MOSFET; Typ Voltage Vds:-30V; Typ Voltage Vgs th:-1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.1 A
Current Rating-1.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance350 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Dual Supply Voltage-30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance140 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation806 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation625 mW
Rds On Max350 mΩ
Resistance350 mΩ
Rise Time2.9 ns
Schedule B8541210080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time8.9 ns
Turn-On Delay Time1.9 ns
Voltage Rating (DC)-30 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length3.04 mm
Width1.4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen