Infineon BSS306NH6327XTSA1
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Lieferkette
Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-07-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.ZXMN3A01FTA
ZXMN3A01 Series 30 V 0.12 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3
STMicroelectronicsSTR2P3LLH6
P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ., 2 A STripFET H6 Power MOSFET in a SOT-23 package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon BSS306NH6327XTSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.041ohm; 0.5W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
OPTIMOS2 SMALL-SIGNAL-TRANSISTOR Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N CH, 30V, 2.3A, SOT-23-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.3A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.044ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V;
Infineon technologies offers automotive and industrial manufacturers a broad portfolio of N- and P-Channel Small Signal MOSFETs that meet and exceed the highest quality requirements in well-known industry standard packages. With unmatched levels of reliability and manufacturing capacity these components are ideally suited for a wide variety of applications including LED Lighting, ADAS, body control units, SMPS and motor control.
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 2.3 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 30 / ON Resistance (Rds(on)) Ohm = 93 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 1.4 / Rise Time ns = 2.3 / Turn-OFF Delay Time ns = 8.3 / Turn-ON Delay Time ns = 4.4 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101 / Power Dissipation (Pd) mW = 500
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance57 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance207 pF
Max Dual Supply Voltage30 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Manufacturer Package IdentifierPG-SOT23
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance57 mΩ
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation500 mW
Rds On Max57 mΩ
Rise Time2.3 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage1.2 V
Turn-Off Delay Time8.3 ns
Turn-On Delay Time4.4 ns
Dimensions
Height1.1 mm
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen