Diodes Inc. ZXMN3A01FTA

ZXMN3A01 Series 30 V 0.12 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3
$ 0.221
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
Future Electronics
2
ZXMN3A01FTA6.0003KTape & Reel
TME
2
ZXMN3A01FTA4.0471
23h
DigiKey
2
ZXMN3A01FCT-ND181Cut Tape
RS (Formerly Allied Electronics)ZXMN3A01FTA025Bulk
17h
AvnetZXMN3A01FTA03K
1d

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet7 SeitenVor 11 Jahren
Datasheet7 SeitenVor 23 Jahren

Diodes Inc SCT

Future Electronics

iiiC

Bestandsverlauf

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Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-04-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

Diodes Inc.ZXMP3A13FTA
Power MOSFET, Low Voltage, P Channel, 30 V, 1.6 A, 0.21 ohm, SOT-23, Surface Mount
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Details
InfineonBSS306NH6327XTSA1
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.041ohm; 0.5W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Diodes Inc. ZXMN3A01FTA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

ZXMN3A01 Series 30 V 0.12 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3
Future Electronics
30 V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET, N SOT-23 REEL 3K; Transistor Polarity:N; Max Current Id:2A; Max Voltage Vds:30V; On State Resistance:0.12ohm; Rds Measurement Voltage:10V; Max Voltage Vgs:20V; Power Dissipation:806mW; Operating Temperature Range:-55ºC to +150ºC; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; Case Style:SOT-23; Cont Current Id:2A; Current Temperature:25°C; Max Junction Temperature Tj:150°C; Max On State Resistance:0.12ohm; Max Power Dissipation Ptot:625mW; Min Junction Temperature, Tj:-55°C; Min Voltage Vgs th:1V; No. of Transistors:1; Power Dissipation Pd:625mW; Pulse Current Idm:8A; Reel Quantity:3000; SMD Marking:7N3; Tape Width:8mm; Termination Type:SMD; Transistor Type:MOSFET; Typ Voltage Vds:30V; Typ Voltage Vgs th:1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Farnell

Bilder

RS
RS (Formerly Allied Electronics)
TME
Future Electronics
TME
Conrad

Aliasnamen des Herstellers

Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated