onsemi FDN337N

N-Channel Logic-Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 2.2A, 65mΩ
$ 0.239
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DistributorSKUMinPkg
Future Electronics
2
FDN337N213.0003KTape & Reel
Avnet
3
FDN337N63.0003K
3d
Newark
4
FDN337N17.3371Cut Tape
Arrow Electronics
2
FDN337N841
Verical
2
FDN337N246.0003K

Datenblätter und Dokumente

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Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDN337N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel Logic-Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 2.2A, 65mΩ
onsemi
N-Channel 30 V 65 mOhm Surface Mount Field Effect Transistor - SSOT-3
Future Electronics
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Surface Mount
EBV Elektronik
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:2.2A; On Resistance, Rds(on):0.065ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Package/Case:SuperSOT-3 ;RoHS Compliant: Yes
Newark
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 2.2 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 30 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 70 / Gate-Source Voltage V = 8 / Fall Time ns = 4 / Rise Time ns = 10 / Turn-OFF Delay Time ns = 17 / Turn-ON Delay Time ns = 4 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) mW = 500
Distrelec
SuperSOT™-3 N-Channel logic level enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage applications in notebook computers, portable phones, PCMCIA cards, and other battery powered circuits where fast switching, and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.
Fairchild Semiconductor
MOSFET, N, SOT-23; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:2.5A; Resistance, Rds On:0.052ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:0.7V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:10A; Device Marking:FDN337N; External Depth:2.5mm; External Length / Height:1.12mm; No. of Pins:3; Power Dissipation:0.5W; Power, Pd:0.5W; SMD Marking:337; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:20V; Width, External:3.05mm; Width, Tape:8mm
Farnell

Bilder

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TME
Distrelec
Newark
Newark
RS
iiiC
Future Electronics
Component Sense
Component Sense
Newark
TME
Component Sense
Rochester Electronics
Conrad
Megastar

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • FDN 337 N
  • FDN337N.