Infineon IRLML6346TRPBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-10-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
Verwandte Teile
InfineonIRLML9301TRPBF
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 0.064ohm; 1.3W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
Diodes Inc.DMG3406L-7
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 0,07ohm;1.4W; -55+150 st.C; SMD; SOT23
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRLML6346TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET Transistor, N Channel, 3.4 A, 30 V, 0.046 ohm, 4.5 V, 800 mV
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package, SOT23-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 30 V 80 mOhm 2.9 nC HEXFET® Power Mosfet - SOT-23
MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23 / Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 3.4 A, 0.046 ohm, SOT-23, Surface Mount
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SOT-23 Polarity: N Power dissipation: 1.3 W
Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 30V, 0.063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
MOSFET,N CH,30V,3.3A,SOT23; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.046ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:3.4A; Power Dissipation Pd:1.3W; Voltage Vgs Max:12V
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance63 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance270 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.3 W
Manufacturer Package IdentifierMicro3
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs800 mV
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance63 mΩ
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation1.3 W
Rds On Max63 mΩ
Recovery Time13 ns
Resistance80 MΩ
Rise Time4 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage800 mV
Turn-Off Delay Time12 ns
Turn-On Delay Time3.3 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length3.04 mm
Width1.4 mm
Datenblätter und Dokumente
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