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onsemi NDS355N

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 1.6A, 125mΩ
Obsolete
Datenblatt
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Preis und Lagerbestand

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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Win Source
WS-NDS355N
2.300
35
USD
1,194
0,970
0,970
12h
Worldway Electronics
NDS355N
26.033
7
Tape & Reel
USD
0,095
0,093
0,089
0,088
11h
RC Electronics
NDS355N
67.101
1
USD
0,330
0,300
0,280
0,260
0,250
2d
SHENGYU ELECTRONICS
NDS355N
28.566
1
USD
0,288
0,282
0,270
0,260
0,250
3d
ZTZ Technology Limited
NDS355N
21.739
USD
0,269
0,247
0,226
0,183
0,183
>1wk

Datenblätter und Dokumente

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Upverter

Technical Drawing1 SeiteVor 6 Jahren

IHS

Newark

onsemi

Jameco (USA)

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Lieferkette

Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1995-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 days ago)
LTB Date2021-02-17
LTD Date2021-08-17
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)

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30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package, SOT23-3, RoHS
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi NDS355N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 1.6A, 125mΩ
onsemi
N-Channel 30 V 0.125 Ohm Logic Level Enhance Mode Field Effect Transistor-SSOT-3
Future Electronics
MOSFET, N, SMD, SSOT-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.6A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):125mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.6V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SuperSOT; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:1.6A; Package / Case:SuperSOT-3; Power Dissipation Pd:500mW; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V
element14 APAC
These N-Channel logic level enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage applications in notebook computers, portable phones, PCMICA cards, and other battery powered circuits where fast switching, and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.
Fairchild Semiconductor

Bilder

Jameco (USA)
Newark
Conrad
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • NDS355N.