onsemi FDMS8672AS
$ 0.703
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | FDMS8672AS | 28.165 | 399 | |||||||||
| Rochester Electronics | FDMS8672AS | 41.348 | 5h | |||||||||
| Microchip USA | FDMS8672AS | 363 | 600 | Bulk | 2d | |||||||
| Win Source | WS-FDMS8672AS | 18.934 | 130 | 6h | ||||||||
| ICPartonline | FDMS8672AS | 5.667 | >1wk |
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Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDMS8672AS, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-Channel PowerTrenchR SyncFETTM 30V 28A 5.0mΩ Power-56-8
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin Power 56 T/R
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
The FDMS8672AS has been designed to minimize losses inpower conversion application. Advancements in both silicon andpackage technologies have been combined to offer the lowestrDS(on) while maintaining excellent switching performance. Thisdevice has the added benefit of an efficient monolithic Schottkybody diode.
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight68.1 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.6 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max5 mΩ
Rise Time4 ns
Turn-Off Delay Time27 ns
Turn-On Delay Time12 ns