Vishay SIRA10DP-T1-GE3

N-Channel 30 V 60 A 5 W 3.7 mOhm Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK® SO-8
$ 0.518
NRND
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Vishay SIRA10DP-T1-GE3 herunter.

Newark

Datasheet13 SeitenVor 11 Jahren
Datasheet13 SeitenVor 10 Jahren
Datasheet13 SeitenVor 10 Jahren
Datasheet13 SeitenVor 11 Jahren

Farnell

RS (Formerly Allied Electronics)

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-19.38%

CAD-Modelle

Laden Sie Vishay SIRA10DP-T1-GE3 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Ultra Librarian
SymbolFußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

SEMICONCUCTOR, MOSFET;TRENCHFET;N-CHANNEL;30V;30A;3.7MOHM @ 10V;POWERPAK 1212-8
Single N-Channel 30 V 4.3 mOhm TrenchFET Gen IV Power Mosfet - PowerPAK SOIC-8
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
onsemiFDS6699S
N-Channel 30 V 3.6 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
InfineonIRLR2703PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.045Ohm;ID 23A;D-Pak (TO-252AA);PD 45W
InfineonAUIRLR2703
Automotive Q101 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package

Beschreibungen

Beschreibungen von Vishay SIRA10DP-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel 30 V 60 A 5 W 3.7 mOhm Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK® SO-8
SEMICONCUCTOR, MOSFET;TRENCHFET;N-CHANNEL;30V;30A;3.7MOHM @ 10V;POWERPAK SO-8
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 30V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET 30V 3.7mOhm@10V 30A N-Ch G-IV
Vishay NMOS, Vds=30 V, 60 A, PowerPAK SO-8
N-Ch PowerPAK SO-8 BWL 30V 3.7mohm@10V
MOSFET, N-CH, 30V, PPAK-SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0028ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:40W; Operating Temperature;RoHS Compliant: Yes

Aliasnamen des Herstellers

Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Polytech
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SIRA10DP-T1-GE3.