onsemi FDMS86150

Name: onsemi FDMS86150
Brand: onsemi
SKU: FDMS86150

N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 100V, 80A, 4.85mΩ

$ 2.141

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		FDMS86150	3.000	3K					1,997	3d
Newark	2	FDMS86150	2.019	5	Cut Tape	1,300	1,300	1,300	1,300
Verical		FDMS86150	2.950	30			2,377	2,141	2,141
Future Electronics		FDMS86150	3.000	3K	Tape & Reel				3,290
Master Electronics		FDMS86150	2.950	10		3,680	2,510	2,140	1,780

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2012-08-02

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDMS86150, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 100V, 80A, 4.85mΩ

onsemi

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.00485 ohm, Power 56, Surface Mount

Avnet

Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.00485ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA

IHS

MOSFET, N-CH, 100V, 80A, POWER 56-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0039ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V;

element14 APAC

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process thant hasbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.

Fairchild Semiconductor

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Technische Spezifikationen

Physical

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals5

Weight56.5 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)16 A

Drain to Source Breakdown Voltage100 V

Drain to Source Resistance4.85 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)100 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time6 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance4.065 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation156 W

Min Breakdown Voltage100 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation2.7 W

Rds On Max4.85 mΩ

Rise Time8.3 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time28 ns

Turn-On Delay Time18 ns

Dimensions

Height1.1 mm

Length5.1 mm

Width6.25 mm