onsemi FDMS86104

Name: onsemi FDMS86104
Brand: onsemi
SKU: FDMS86104

N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 100V, 16A, 24mΩ

$ 1.179

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	FDMS86104	1.960	5	Cut Tape		2,510	1,880	1,600	1,600
Verical	4	FDMS86104	792	6			1,208	1,188	1,159	1,159
Arrow Electronics		FDMS86104	792	1		1,308	1,208	1,188	1,159	1,159
Master Electronics		FDMS86104	2.500	25				1,017	0,945	0,922
Onlinecomponents.com		FDMS86104	2.500	25	Bulk			1,017	0,945	0,922

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Master Electronics

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IHS

onsemi

Fairchild Semiconductor

Future Electronics

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2010-08-10

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDMS86104, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 100V, 16A, 24mΩ

onsemi

N-Channel 100 V 16 A 24 mOhm Surface Mount PowerTrench® Mosfet - Power56

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 100V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA

Semicontronic

MOSFET, N CH, 100V, 16A, POWER56; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.02ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.9V; Power Dissipation Pd:73W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:Power 56; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)

Farnell

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process thant has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.

Fairchild Semiconductor

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Technische Spezifikationen

Physical

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals5

Technical

Continuous Drain Current (ID)7 A

Current16 A

Drain to Source Breakdown Voltage100 V

Drain to Source Resistance24 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)100 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time3.2 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance923 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation73 W

Min Breakdown Voltage100 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

Power Dissipation2.5 W

Rds On Max24 mΩ

Rise Time3.5 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage2.9 V

Turn-Off Delay Time14.3 ns

Turn-On Delay Time8 ns

Voltage100 V

Dimensions

Height1.05 mm

Length5 mm

Width6 mm