Infineon IRFH7185TRPBF
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRFH7185TRPBF | 0 | 4K | Bulk | 21h | |||||||
| Microchip USA | IRFH7185TRPBF | 1.826 | 600 | Tray | 3h | |||||||
| Win Source | WS-IRFH7185TRPBF | 10.900 | 22 | 10h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRFH7185TRPBF | 13.635 | 7 | Tape & Reel | 9h | |||||||
| ICPartonline | IRFH7185TRPBF | 39.171 | >1wk |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-01-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTD15NF10T4
N-Channel 100V - 0.06Ohm - 23A - DPAK LOOhm GATE CHARGE StripFET(TM) II POWER MOSFET
VishaySI7174DP-T1-GE3
Si7174DP Series N-Channel 75 V 0.007 Ohms SMT Power Mosfet - PowerPAK SO-8
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFH7185TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5x6 package, PG-TDSON-8, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 100V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
MOSFET, 100V,100A, 5.2 mOhm, 34nC, PQFN5x6
Benefits: Low RDSon (less than 5.2 mOhms); Low Thermal Resistance to PCB (less than 0.8C/W); 100% Rg Tested; Low Profile (less than 1.05 mm); Industry-Standard Pinout; Compatible with Existing Surface Mount Techniques; RoHS Compliant, Halogen-Free; MSL1; FastIRFET | Target Applications: HotSwap; Isolated Primary Side MOSFETs; Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)19 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance5.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.32 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.6 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance5.2 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation3.6 W
Rds On Max5.2 mΩ
Rise Time9.9 ns
Threshold Voltage3.6 V
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time6.5 ns
Dimensions
Height950 µm
Length6.15 mm
Width5.15 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen