onsemi FDMC8622

Name: onsemi FDMC8622
Brand: onsemi
SKU: FDMC8622

N-Channel Shielded Gate Power Trench® MOSFET 100V, 16A, 56mΩ

$ 0.732

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	FDMC8622	1.080	1	Cut Tape	2,250	1,440	0,979	0,734	0,734
Verical	2	FDMC8622	431	355					0,877	0,782
Arrow Electronics		FDMC8622	2.890	1		0,622	0,622	0,622	0,622	0,622
Rochester Electronics		FDMC8622	431					0,846	0,702	0,626	5h
DigiKey	3	FDMC8622CT-ND	11.886	1	Cut Tape	2,420	1,553	1,056	0,775	0,623

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onsemi

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Upverter

IHS

Master Electronics

Fairchild Semiconductor

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2010-12-16

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDMC8622, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel Shielded Gate Power Trench® MOSFET 100V, 16A, 56mΩ

onsemi

Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA

IHS

MOSFET, N CH, 100V, 16A, MLP 3.3X3.3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0437ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.9V; Power Dissipation Pd:31W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:MLP; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)

Farnell

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized for rDS(on), switching performance and ruggedness.

Fairchild Semiconductor

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Technische Spezifikationen

Physical

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals5

Weight200 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)4 A

Drain to Source Breakdown Voltage100 V

Drain to Source Resistance56 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)100 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time2.2 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance402 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation31 W

Min Breakdown Voltage100 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs2.9 V

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingTape & Reel (TR)

Power Dissipation31 W

Rds On Max56 mΩ

Rise Time1.6 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage2.9 V

Turn-Off Delay Time10.2 ns

Turn-On Delay Time5.9 ns

Dimensions

Height800 µm

Length3.3 mm

Width3.3 mm