onsemi FDMS4435BZ

Name: onsemi FDMS4435BZ
Brand: onsemi
SKU: FDMS4435BZ

P-channel Powertrench® Mosfet -30 V, -18 A, 20 Mω | Mosfet P-ch 30V 9A POWER56

$ 0.403

Production

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Preis und Lagerbestand

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	FDMS4435BZ	84	2778						0,257	3d
Newark	2	FDMS4435BZ	373	1	Cut Tape	1,320	0,839	0,606	0,495	0,495
Verical		FDMS4435BZ	1.500	930					0,403	0,332
Rochester Electronics	2	FDMS4435BZ	1.500					0,359	0,298	0,265	15h
DigiKey	2	FDMS4435BZCT-ND	2.871	1	Cut Tape	1,300	0,818	0,539	0,380	0,380

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Upverter

Datasheet7 SeitenVor 3 Jahren

Technical Drawing1 SeiteVor 4 Jahren

IHS

Master Electronics

onsemi

element14 APAC

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2011-03-03

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDMS4435BZ, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

P-Channel PowerTrench® MOSFET -30 V, -18 A, 20 mΩ | MOSFET P-CH 30V 9A POWER56

Win Source

P-Channel PowerTrench® MOSFET -30V, -18A, 20mΩ

onsemi

Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA

IHS

MOSFET, P CH, 30V, 18A, POWER56; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-18A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.015ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.9V; Power Dissipation Pd:39W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:Power 56; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)

Farnell

This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance. This device is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery Packs.

Fairchild Semiconductor

Bilder

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Technische Spezifikationen

Physical

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals5

Weight74 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)9 A

Drain to Source Breakdown Voltage-30 V

Drain to Source Resistance20 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time19 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)25 V

Input Capacitance2.05 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation39 W

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation2.5 W

Rds On Max20 mΩ

Rise Time10 ns

Threshold Voltage-1.9 V

Turn-Off Delay Time35 ns

Turn-On Delay Time9 ns

Dimensions

Height1.1 mm

Length5 mm

Width6 mm