Infineon IRF7811AVTRPBF
Obsolete
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 SnapEDA | Fußabdruck | 3D | Herunterladen |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-11-28
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
LTB Date2020-10-31
LTD Date2021-04-30
Verwandte Teile
InfineonIRF7807ZTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 11 Milliohms;ID 11A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Diodes Inc.DMS3015SSS-13
N-Channel 30 V 11.9 mOhm Surface Mount Schottky Diode Mosfet - SOIC-8
InfineonSI4410DYPBF
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low Switching Losses; Low Conduction Losses
Diodes Inc.DMG4406LSS-13
Single N-Channel 30 V 2 W 12.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF7811AVTRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 11 Milliohms;ID 10.8A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20
Single N-Channel 30 V 14 mOhm 17 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO N-Channel 30 V 10.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
N-CHANNEL APPLICATION-SPECIFIC MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 10.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
2.5W(Ta) 20V 3V@ 250µA 26nC@ 5 V 1individualNChannel 30V 14mΩ@ 15A,4.5V 10.8A 1.801nF@10V SOIC-8 SMD mount 1.75mm(height)
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:14A; On Resistance, Rds(on):14mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Package/Case:8-SO ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSO
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)10.8 A
Current Rating10.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.801 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance14 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max14 mΩ
Resistance14 MΩ
Rise Time21 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time8.6 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen