Diodes Inc. DMP3035LSS-13
$ 0.262
NRND
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | DMP3035LSS-13 | 0 | 1 | 21h | ||||||||
| Avnet | DMP3035LSS-13 | 0 | 2500 | 1d | ||||||||
| Mouser | 621-DMP3035LSS-13 | 1.424 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Component Stockers USA | DMP3035LSS-13 | 137.613 | >1wk | |||||||||
| Win Source | WS-DMP3035LSS-13 | 28.200 | 180 | 7h |
Bestandsverlauf
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CAD-Modelle
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-05-12
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 weeks ago)
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMP3035LSS-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
P-Channel 30 V 16 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
2W(Ta) 25V 2V@ 250¦ÌA 30.7nC@ 10 V 1P 30V 16m¦¸@ 8A,10V 11A 1.655nF@20V SOIC-8 5.3mm*4.1mm*1.5mm
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOP T/R
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 25±V VGS
Diodes Inc SCT
Small Signal Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOP
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight850.995985 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance16 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.655 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Rds On Max16 mΩ
Rise Time8 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time46 ns
Turn-On Delay Time5.1 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length5.3 mm
Width4.1 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen