onsemi FDMC86160

Name: onsemi FDMC86160
Brand: onsemi
SKU: FDMC86160

MOSFET, N-CH, 100V, 8PQFN; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Curre

$ 1.23

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	FDMC86160	336.152	3K						1d
Future Electronics		FDMC86160	3.000	3K	Tape & Reel				1,540
Newark	2	FDMC86160	1.410	5	Cut Tape	2,070	1,460	1,230	1,230
Master Electronics		FDMC86160	2.320	25			1,890	1,230	1,010
Onlinecomponents.com		FDMC86160	2.320	25	Bulk		1,890	1,230	1,010

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IHS

Datasheet7 SeitenVor 3 Jahren

Datasheet5 SeitenVor 15 Jahren

JRH Electronics

Upverter

onsemi

Fairchild Semiconductor

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Lieferkette

Country of OriginPhilippines

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2012-06-11

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDMC86160, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, N-CH, 100V, 8PQFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Curre

Newark

N-Channel Power Trench MOSFET 100 V, 43 A, 14 m Ohm | MOSFET N CH 100V 9A POWER33

Win Source

ON SEMICONDUCTOR - FDMC86160 - MOSFET Transistor, N Channel, 43 A, 100 V, 0.0112 ohm, 10 V, 2.9 V

Jak Electronics

N-Channel Power Trench® MOSFET 100V, 43A, 14mΩ

onsemi

Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA

Semicontronic

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance. This device is well suited for applications where ulta low RDS(on) is required in small spaces such as High performance VRM, POL and orring functions.

Fairchild Semiconductor

MOSFET, N-CH, 100V, 8PQFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:43A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0112ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.9V; Power Dissipation Pd:54W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:Power 33; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013); Operating Temperature Range:-55°C to +150°C

Farnell

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Technische Spezifikationen

Physical

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals5

Weight152.7 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)9 A

Drain to Source Breakdown Voltage100 V

Drain to Source Resistance14 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)100 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time3.4 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance1.29 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation54 W

Min Breakdown Voltage100 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation2.3 W

Rds On Max14 mΩ

Rise Time3.6 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage2.9 V

Turn-Off Delay Time16 ns

Turn-On Delay Time9.7 ns

Dimensions

Height800 µm

Length3.3 mm

Width3.3 mm

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