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Alternative Teile

Dieser Teil

Alternative Teile

onsemiBC856BWT1G

NexperiaBC856BW,115

Price @ 1000

$ 0.086

$ 0.031

Stock

3,334,397

3,601,894

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-323

Polarity

PNP

Collector Emitter Breakdown Voltage

65 V

Max Collector Current

100 mA

Transition Frequency

100 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

650 mV

hFE Min

220

Power Dissipation

150 mW

200 mW

Lieferkette

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi BC856BWT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 65 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Surface Mount

Avnet Silica

PNP Transistor 650mV@5mA,100mA 150mW 5V 15nA 80V 65V 100mA 30000 SMD 2.1mm × 1.24mm × 900μm

UnikeyIC

PNP SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

ComSIT Distribution GmbH

BC856 Series 65 V 100 mA SMT PNP General Purpose Transistor - SOT-323

Future Electronics

ON SEMI BC856BWT1G PNP BIPOLAR TRANSISTOR, 0.1 A, 65 V, 3-PIN SC-70

RS (Formerly Allied Electronics)

These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT-323/SC-70 which is designed for low power surface mount applications.

North Star Micro

TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -65V, SC-70-3; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -65V; Transition Frequency ft: 100MHz; Power Dissipation Pd: 150mW; DC Collector Current: -100mA; DC Current Gain hFE: 150hFE

Farnell

Bilder

Augswan

RS (Formerly Allied Electronics)

Rochester Electronics

LZChips

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

BC856BWT1G.

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: -72.22%

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

1 Teil verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSC

Contact PlatingTin

Number of Pins3

Number of Terminals3

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)80 V

Collector Emitter Breakdown Voltage65 V

Collector Emitter Saturation Voltage650 mV

Collector Emitter Voltage (VCEO)65 V

Current Rating-100 mA

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)5 V

Frequency100 MHz

Gain Bandwidth Product100 MHz

hFE Min220

Max Breakdown Voltage65 V

Max Collector Current100 mA

Max Frequency100 MHz

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation150 mW

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

PolarityPNP

Power Dissipation150 mW

Schedule B8541210080

Transition Frequency100 MHz

Voltage Rating (DC)-65 V

Dimensions

Height900 µm

Length2.2 mm

Width1.35 mm