NXP Semiconductors PDTA143ZE,115

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-75 T/R
$ 0.083
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für NXP Semiconductors PDTA143ZE,115 herunter.

IHS

Datasheet17 SeitenVor 14 Jahren

Farnell

Nexperia

element14

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
Restocked

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-08-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2015-06-30
LTD Date2015-12-31

Verwandte Teile

NXP SemiconductorsPDTA115TE,115
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon
ToshibaRN2310,LF
300mV@ 250¦ÌA,5mA PNP - Pre-Biased 100mW -5V 100nA -50V 50V 100mA SC-70 2mm*1.25mm*900¦Ìm
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

Beschreibungen

Beschreibungen von NXP Semiconductors PDTA143ZE,115, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-75 T/R
PDTA143Z series - PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kΩ, R2 = 47 kΩ
TRANS PNP W/RES 50V SOT-416; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -50V; Transition Frequency ft: 180MHz; Power Dissipation Pd: 150mW; DC Collector Current: -100mA; DC Current Gain hFE: 100hFE; Transist
Small Signal Digital (BRT) Transistor; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-50V; Continuous Collector Current Ic:-100mA; Base Input Resistor R1:4.7kohm; Base-Emitter Resistor R2:47kohm; Resistor Ratio, R1/R2:10 ;RoHS Compliant: Yes
TRANS PNP W/RES 50V SOT-416; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-50V; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:100; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-416; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Collector Emitter Voltage Vces:-100mV; Current Ic Continuous a Max:-5mA; Hfe Min:100; Package / Case:SOT-416; Power Dissipation Pd:150mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:General Purpose

Aliasnamen des Herstellers

NXP Semiconductors verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. NXP Semiconductors ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • NXP
  • PHILIPS
  • PHIL
  • NXP USA Inc
  • PHI
  • PHILLIPS
  • NXP SEMI
  • NXP SEMICONDUCTOR
  • PHILIPS/NXP
  • PHILIPS SEMICONDUCTORS
  • PHILIP
  • NXP/PHILIPS
  • PHILIPS SEMICONDUCTOR
  • PHILPS
  • PHILIPS COMPONENTS
  • PHILIPS SEMI
  • PHL
  • PHLIPS
  • NXP Semicon
  • NXP / Freescale
  • PHILL
  • PHILIPS ECG
  • Philips Semiconducto
  • PHILLIP
  • PHILI
  • Philips Semiconductors
  • NXP Semiconductors NV
  • NXP

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • PDTA143ZE 115
  • PDTA143ZE115