onsemi UMC3NT1G
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Stock
7,792,436
282,847
Authorized Distributors
6
2
Mount
-
-
Case/Package
SC
-
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
-
Max Collector Current
100 mA
100 mA
Transition Frequency
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
250 mV
-
hFE Min
35
35
Power Dissipation
150 mW
150 mW
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-04-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, Single PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
NXP SemiconductorsPDTA143ZE,115
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-75 T/R
NXP SemiconductorsPDTA115TE,115
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi UMC3NT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
UMC3N Series 50 V 100 mA NPN/PNP Dual Surface Mount Silicon Transistor - SC-88A
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
Transistors Bipolar- Bias Resistor 100mA Complementary 50V, Dual NPN & PNP
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 5-Pin SC-88A T/R
Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
250mV@ 300¦ÌA,10mA 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased (Dual) 150mW 500nA 50V 100mA SC-88A-5 2.2mm*1.35mm*1mm
Brt Transistor, 50V, 10K/10Kohm, Sc88A; Transistor Polarity:Npn And Pnp Complement; Collector Emitter Voltage Max Npn:50V; Collector Emitter Voltage Max Pnp:50V; Continuous Collector Current Npn:-100Ma; Power Dissipation Npn:150Mw Rohs Compliant: Yes |Onsemi UMC3NT1G
The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors are designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. In the UMC2NT1 series two complementary BRT devices are housed in the SOT-353 package which is ideal for low power surface mount applications where board space is at a premium.
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSC
Number of Pins5
Number of Terminals5
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating100 mA
hFE Min35
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation150 mW
Schedule B8541210080
Voltage Rating (DC)50 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen