onsemi ATP206-TL-H
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Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-03-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2017-10-30
LTD Date2018-04-30
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTD44N4LF6
N-channel 40 V, 8.9 mOhm, 44 A , DPAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
onsemiNVD5805NT4G
Single N-Channel Power MOSFET 40V, 51A, 9.5mΩ Power MOSFET 40V 51A 9.5 mOhm Single N-Channel DPAK
onsemiNVD5806NT4G
Power MOSFET 40V, 33A, 19 mOhm, Single N-Channel, DPAK. Power MOSFET 40V 33A 19 mOhm Single N-Channel DPAK
STMicroelectronicsSTD40NF03LT4
N-CHANNEL 30V - 0.0090 OHM - 40A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
STMicroelectronicsSTD35NF3LLT4
N-Channel 30V - 0.014Ohm - 35A - DPAK StripFET(TM) II POWER MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi ATP206-TL-H, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel Power MOSFET, 40V, 40A, 16mOhm, Single ATPAK
ATP206-TL-H N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 40 A, 40 V, 3-PIN ATPAK
Trans MOSFET N-CH Si 40V 40A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 40V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
40W(Tc) 20V 2.6V 27nC@ 10 V 1individualNChannel 40V 16mΩ@ 20A,10V 40A 1.63nF@20V ATPAK SMD mount 6.5mm*7.3mm*1.5mm
MOSFET, N CH, 40V, 40A, ATPAK; Transistor Polarity:N; Max Current Id:40A; Max Voltage Vds:40V; On State Resistance:12mohm; Rds Measurement Voltage:10V; Max Voltage Vgs:20V; Power Dissipation:40W; Transistor Case Style:ATPAK; No. of Pins:3; Termination Type:SMD
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Drain to Source Resistance16 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time73 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.63 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation40 W
Rds On Max16 mΩ
Resistance16 mΩ
Rise Time110 ns
Turn-Off Delay Time83 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length6.5 mm
Width7.3 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen