onsemi NVD5805NT4G
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Alternative Teile
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Price @ 1000
$ 0.21
Stock
57,847
999,335
Authorized Distributors
2
1
Mount
-
-
Case/Package
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
-
Continuous Drain Current (ID)
51 A
51 A
Threshold Voltage
-
1.5 V
Rds On Max
9.5 mΩ
9.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
47 W
47 W
Input Capacitance
1.725 nF
1.725 nF
Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-04-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 day ago)
LTB Date2019-07-12
LTD Date2020-07-12
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTD44N4LF6
N-channel 40 V, 8.9 mOhm, 44 A , DPAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NVD5805NT4G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel Power MOSFET 40V, 51A, 9.5mΩ Power MOSFET 40V 51A 9.5 mOhm Single N-Channel DPAK
Trans MOSFET N-CH 40V 51A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
REEL / NFET DPAK 40V 51A 9.5MOHM
Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 40V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
Number of Pins4
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)51 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance9.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.725 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation47 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation47 W
Rds On Max9.5 mΩ
Rise Time17.9 ns
Turn-Off Delay Time22.9 ns
Turn-On Delay Time10.2 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen