onsemi FDD8878
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1
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
TO-252
TO-252
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
35 A
42 A
42 A
Threshold Voltage
1.2 V
-
-
Rds On Max
15 mΩ
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
40 W
-
-
Input Capacitance
880 pF
-
-
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-12-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTD17NF03LT4
N-channel 30 V, 0.038 Ohm, 17 A STripFET(TM) II Power MOSFET in DPAK package
STMicroelectronicsSTD70NS04ZL
Power MOSFET, N Channel, 33 V, 70 A, 10.5 Milliohms, TO-252 (DPAK), 3 Pins, Surface Mount
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDD8878, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 30V, 40A, 15mΩ
FDD8878 Series 30 V 11 A 15 mOhm SMT N-Ch PowerTrench® MOSFET - TO-252AA
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 30V, 0.0185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
40W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 26nC@ 10V 1individualNChannel 30V 15mΩ@ 35A,10V 11A，40A 880pF@15V TO-252AA SMD mount 6.73mm*6.22mm*2.39mm
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(ON) and fast switching speed.
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Current Rating40 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance18.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time27 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance880 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation40 W
Rds On Max15 mΩ
Rise Time79 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.2 V
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height2.517 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen