STMicroelectronics STD44N4LF6
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Offizielles DatenblattVor 10 Jahren
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-02-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonAUIRFR3504ZTRL
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK N-Channel 40 V 42A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
STMicroelectronicsSTD40NF03LT4
N-CHANNEL 30V - 0.0090 OHM - 40A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
VishaySUD50N04-8M8P-4GE3
SUD50N04-8M8P-4GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 50 A, 40 V, 3-PIN TO-252
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STD44N4LF6, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 40 V, 8.9 mOhm, 44 A , DPAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
Single N-Channel 40 V 18 mOhm 22 nC 50 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3
Trans MOSFET N-CH 40V 44A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 40V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N-CH, 40V, 44A, TO-252; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 44A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 0.0089ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.5V; Pow
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)44 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance18 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.19 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation50 W
Rds On Max12.5 mΩ
Rise Time45 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time8.5 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant