NXP Semiconductors MRFE6VP61K25HR6

RF Power Transistor, 1.8 to 600 MHz, 1250 W, Typ Gain in dB is 22.9 @ 230 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1787
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NRND
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MRFE6VP61K25HR61141Cut Tape
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3
MRFE6VP61K25HR6CT-ND4661Cut Tape
RFMWMRFE6VP61K25HR601
23h
AvnetMRFE6VP61K25HR60150
2d

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Future Electronics

Datasheet23 SeitenVor 12 Jahren

IHS

Freescale Semiconductor

Farnell

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Beschreibungen

Beschreibungen von NXP Semiconductors MRFE6VP61K25HR6, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

RF Power Transistor,1.8 to 600 MHz, 1250 W, Typ Gain in dB is 22.9 @ 230 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1787
RFMW
RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Semicontronic
RF FET, 133V, 600MHZ, NI-1230H-4S; Drain Source Voltage Vds: 133VDC; Continuous Drain Current Id: -; Power Dissipation Pd: 1.333kW; Operating Frequency Min: 1.8MHz; Operating Frequency Max: 600MHz; RF Transistor Case: NI-1230;
Farnell

Bilder

NXP Semiconductors
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Aliasnamen des Herstellers

NXP Semiconductors verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. NXP Semiconductors ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • NXP
  • PHILIPS
  • PHIL
  • NXP USA Inc
  • PHI
  • PHILLIPS
  • NXP SEMI
  • NXP SEMICONDUCTOR
  • PHILIPS/NXP
  • PHILIPS SEMICONDUCTORS
  • PHILIP
  • NXP/PHILIPS
  • PHILIPS SEMICONDUCTOR
  • PHILPS
  • PHILIPS COMPONENTS
  • PHILIPS SEMI
  • PHL
  • PHLIPS
  • NXP Semicon
  • NXP / Freescale
  • PHILL
  • PHILIPS ECG
  • Philips Semiconducto
  • PHILLIP
  • PHILI
  • Philips Semiconductors
  • NXP Semiconductors NV
  • NXP