NXP Semiconductors MRF6V3090NBR1
$ 50.18
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00
Introduction Date2010-04-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
NXP SemiconductorsMRF6V4300NBR5
Lateral N-Channel Single-Ended Broadband RF Power MOSFET, 10-600 MHz, 300 W, 50 V
NXP SemiconductorsMRF6S18060NR1
GSM/GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1800-2000 MHz, 60 W, 26 V
Beschreibungen
Beschreibungen von NXP Semiconductors MRF6V3090NBR1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
RF Power Transistor,470 to 1215 MHz, 90 W, Typ Gain in dB is 22 @ 860 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1735
Transistor RF FET N-CH 110V 470MHz to 1215MHz 4-Pin TO-272WB T/R
UHF BAND Si N-CHANNEL RF POWER MOSFET TO-272
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-272
RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-
OPTOISOLTR 3.75KV 2CH TRANS 8-SO
Aliasnamen des Herstellers
NXP Semiconductors verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. NXP Semiconductors ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-270-4
Contact PlatingTin
MountScrew, Surface Mount
Number of Pins5
Number of Terminals4
Weight1.911098 g
Technical
Drain to Source Voltage (Vdss)115 V
Frequency860 MHz
Gain21 dB
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Max Frequency860 MHz
Max Operating Temperature225 °C
Min Breakdown Voltage115 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Output Power18 W
Test Current350 mA
Test Voltage50 V
Voltage Rating110 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen