Infineon SPW55N80C3FKSA1
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-11-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTW55NM60ND
Mosfet Transistor, N Channel, 51 A, 600 V, 0.047 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
STMicroelectronicsSTW54NM65ND
N-channel 650 V, 0.055 Ohm typ., 49 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in a TO-247 package
InfineonIPW65R080CFDAFKSA1
Power MOSFET, AEC-Q101, N Channel, 650 V, 43.3 A, 0.072 ohm, TO-247, Through Hole
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon SPW55N80C3FKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET, N Channel, 850 V, 54.9 A, 0.077 ohm, TO-247, Through Hole
Power Field-Effect Transistor, 800V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
Replacement for CoolMOS™ C3 is CoolMOS™ P7800V CoolMOS™ C3 is Infineon's third series of CoolMOS™ with market entry in 2001. C3 is the "working horse" of the portfolio.
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:850V; Continuous Drain Current Id:54.9A; On Resistance Rds(On):0.077Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V Rohs Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)54.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage850 V
Drain to Source Resistance85 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.52 nF
Max Dual Supply Voltage800 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance85 mΩ
Package Quantity240
Power Dissipation500 W
Rds On Max85 mΩ
Rise Time21 ns
Turn-Off Delay Time200 ns
Turn-On Delay Time45 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen