STMicroelectronics STW54NM65ND
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-06-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTW55NM60ND
Mosfet Transistor, N Channel, 51 A, 600 V, 0.047 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
STMicroelectronicsSTW62N65M5
Trans MOSFET N-CH Si 650V 46A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STMicroelectronicsSTW60N65M5
N-channel 650 V, 0.049 Ohm, 46 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247
InfineonIPW65R048CFDAFKSA1
Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW54NM65ND, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 650 V, 0.055 Ohm typ., 49 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in a TO-247 package
Trans MOSFET N-CH 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
49 A 650 V 0.065 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-247
MOSFET N-Ch 650V 0.055 Ohm 49A FDmesh II
Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 650V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)49 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance65 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time98 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance6.2 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation350 W
Rds On Max65 mΩ
Resistance65 MΩ
Rise Time59 ns
Turn-Off Delay Time152 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant