Infineon SPP16N50C3HKSA1
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-04-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Verwandte Teile
onsemiFCP190N60-GF102
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FAST, 600 V, 20.2 A, 199mΩ, TO-220
VishaySIHP15N60E-E3
E-Series N-Channel 600 V 0.28 O 76 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB
VishaySIHF15N60E-GE3
34W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 78nC@ 10 V 1N 600V 280m¦¸@ 8A,10V 15A 1.35nF@100V TO-220 16.12mm
InfineonIPA60R199CPXKSA1
34W 20V 3.5V 32nC@ 10V 1N 600V 199m¦¸@ 10V 16A 1.52nF@ 100V TO-220 10.65mm*4.85mm*16.15mm
STMicroelectronicsSTP24N60DM2
N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon SPP16N50C3HKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 560V 16A 3-Pin TO-220 Tube
16 A 500 V 0.28 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
MOSFET N-CH 560V 16A TO220-3-1
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)16 A
Drain to Source Resistance280 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)560 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.6 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation160 W
Rds On Max280 mΩ
Rise Time8 ns
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Datenblätter und Dokumente
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