Infineon SPD04N80C3BTMA1
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
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Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 0.671
Stock
88,862
366,062
Authorized Distributors
0
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-252
TO-252-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
800 V
Continuous Drain Current (ID)
4 A
4 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
1.3 Ω
1.3 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
63 W
63 W
Input Capacitance
570 pF
570 pF
Verwandte Teile
InfineonSPD04N60C3ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 4.5 A, 0.85 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon SPD04N80C3BTMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
4 A 800 V 1.3 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-252AA
Replacement for CoolMOS™ C3 is CoolMOS™ P7, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
800V CoolMOS C3 is Infineon's third series of CoolMOS with market entry in 2001. C3 is the "working horse" of the portfolio. | Summary of Features: Low specific on-state resistance; (R on*A); Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V; Low gate charge (Q g); Fieldproven CoolMOS quality; CoolMOS technology has been manufactured by Infineon since 1998 | Benefits: High efficiency and power density; Outstanding cost/performance; High reliability; Ease-of-use | Target Applications: Consumer; PC power; Adapter; Lighting; Solar
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Drain to Source Resistance1.3 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance570 pF
Max Dual Supply Voltage800 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation63 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance1.3 Ω
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation63 W
Rds On Max1.3 Ω
Rise Time15 ns
Turn-Off Delay Time72 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen