STMicroelectronics STD10NM60ND
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2,045,839
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-252
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
600 V
Continuous Drain Current (ID)
8 A
8 A
Threshold Voltage
4 V
3 V
Rds On Max
600 mΩ
550 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
25 V
25 V
Power Dissipation
70 W
70 W
Input Capacitance
577 pF
540 pF
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-02-11
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 weeks ago)
LTB Date2026-09-10
LTD Date2027-03-10
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STD10NM60ND, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.57 Ohm, 8 A, DPAK FDmesh(TM) II Power MOSFET
STD10NM60ND N-channel MOSFET Transistor, 8 A, 600 V, 3-Pin TO-252
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Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance600 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance577 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation70 W
Rds On Max600 mΩ
Resistance600 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time9.2 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant