Infineon SPB20N60S5ATMA1
$ 2.02
NRND
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | SPB20N60S5ATMA1 | 3.000 | 1K | |||||||||
| Avnet | SPB20N60S5ATMA1 | 0 | 1K | 1d | ||||||||
| Farnell | SPB20N60S5ATMA1 | 0 | 1 | Cut Tape | 4h | |||||||
| Mouser | 726-SPB20N60S5 | 1.553 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Microchip USA | SPB20N60S5ATMA1 | 113 | 600 | 3d |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
VishaySIHB23N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK / N-Channel 600 V 23A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
STMicroelectronicsSTB27NM60ND
N-channel 600 V, 0.13 Ohm, 21 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK
STMicroelectronicsSTB28N60M2
N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB28NM60ND
N-channel 600 V, 0.120 Ohm typ., 24 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK package
InfineonSPB21N50C3ATMA1
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 560V 21A TO-263
InfineonSPB20N60C3ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
InfineonIPB65R190C6
MOSFET N-CH 650V 20.2A D2PAK / N-Channel 650 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon SPB20N60S5ATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Mosfet, N Channel, 600V, 20A, To-263; Transistor Polarity:n Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):0.16Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4.5V Rohs Compliant: Yes
Summary of Features: Innovative high voltage technology; Worldwide best R DS(on) in TO-251 and TO-252; Ultra low gate charge; Periodic avalanche rated; Extreme dv/dt rated; Ultra low effective capacitances; Improved transconductance
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Current Rating20 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3 nF
Max Dual Supply Voltage600 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation208 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance190 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation208 W
Rds On Max190 mΩ
Rise Time25 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4.5 V
Turn-Off Delay Time140 ns
Turn-On Delay Time120 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen