Infineon JANTX2N6802
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$ 15.6
$ 18.415
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Stock
451
9,685
9,685
Authorized Distributors
1
2
2
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-39
TO-39
TO-39
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
500 V
500 V
Continuous Drain Current (ID)
2.5 A
2.5 A
2.5 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
-
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
25 W
25 W
25 W
Input Capacitance
-
-
-
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon JANTX2N6802, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
100 V, 200 V, 400 V AND 500 V, N-CHANNEL, ENHANCEMENT MODE MOSFET POWER TRANSISTOR 3TO-205
500V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package, TO-205AF-3
Infineon SCT
500 V 2.5 A Surface Mount Repetitive Avalance Hexfet Transistor - TO-205AF
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin TO-39
2.5 A 500 V 1.6 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-205
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Body MaterialMetal
Case/PackageTO-39
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance1.6 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance10.5 Ω
PackagingBulk
Power Dissipation25 W
Schedule B8541290080
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCYes
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen