Infineon IRLS4030TRL7PP
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Obsolete
Preis und Lagerbestand
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | IRLS4030TRL7PPCT-ND | 4 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Farnell | IRLS4030TRL7PP | 0 | 1 | Cut Tape | 1d | |||||||
| Component Stockers USA | IRLS4030TRL7PP | 5.983 | >1wk | |||||||||
| Win Source | WS-IRLS4030TRL7PP | 5.620 | 27 | 1h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRLS4030TRL7PP | 16.914 | 7 | Tape & Reel | 1d |
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Price @ 1000
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$ 9.05
Stock
99,993
34,511
Authorized Distributors
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
190 A
190 A
Threshold Voltage
2.5 V
2.5 V
Rds On Max
3.9 mΩ
3.9 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
16 V
Power Dissipation
370 W
370 W
Input Capacitance
11.49 nF
11.49 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-02-12
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
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MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK / N-Channel 100 V 190A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
STMicroelectronicsSTH180N10F3-6
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
STMicroelectronicsSTH240N75F3-6
N-channel 75 V, 2.6 mOhm typ., 180 A STripFET(TM) III Power MOSFET in H2PAK-6 package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRLS4030TRL7PP, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 7-Pin D2-Pak package, D2PAK7P, RoHS
Infineon SCT
N-Channel 100 V 190 A (Tc) 370 W (Tc) Surface Mount Power MOSFET - D2PAK-7
Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin (6+Tab) D2PAK T/R
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 100V, 190A, D2PAK-7; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:190A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):3.4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; No. of Pins:7 ;RoHS Compliant: Yes
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Superior R*Q at 4.5V VGS; Logic Level; Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability | Target Applications: Battery Operated Drive
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins7
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)190 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance3.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time87 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance11.49 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation370 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3.9 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation370 W
Rds On Max3.9 mΩ
Rise Time160 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time110 ns
Turn-On Delay Time53 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen