STMicroelectronics STH240N75F3-6
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-10-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2024-07-19
LTD Date2025-01-19
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTH250N55F3-6
N-channel 55 V, 2.2 mOhm, 180 A, H2PAK, STripFET III Power MOSFET
InfineonIRF3805STRL-7PP
MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK / N-Channel 55 V 160A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
InfineonIRF2907ZS-7PPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 3 Milliohms;ID 160A;D2Pak;PD 300W;VGS +/-20V
STMicroelectronicsSTH275N8F7-6AG
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6 / N-Channel 80 V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STH240N75F3-6, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 75 V, 2.6 mOhm typ., 180 A STripFET(TM) III Power MOSFET in H2PAK-6 package
Trans MOSFET N-CH 75V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R
MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK / Conduction losses reduced
MOSFET N-Channel 75V 180A H2PAK-7
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 75V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-channel 75V 210A STripFET III
Power MOSFETs, 75V, 180A, H2PAK-6, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
QA-0096-0 TRS,SMT,H2PAK-6,N-CHANN POWER
Mosfet, N Ch, 75V, 180A, H2Pak-6; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:75V; Continuous Drain Current Id:180A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STH240N75F3-6
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-7
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)180 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.8 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation300 W
Rds On Max3 mΩ
Resistance3 MΩ
Rise Time70 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time100 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Dimensions
Height4.8 mm
Length15.25 mm
Width10.4 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant