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Infineon IRLR3915PBF

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 12 Milliohms; ID 61A; D-Pak (TO-252AA); PD 120W
$ 1.6
Obsolete
Datenblatt
Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
RS (Formerly Allied Electronics)
IRLR3915PBF
0
825
Bulk
USD
1,600
0,810
4h
Component Search
IRLR3915PBF
528
16h
Win Source
WS-IRLR3915PBF
20
70
USD
0,817
0,545
0,545
16h
Worldway Electronics
IRLR3915PBF
8.892
7
Bulk
USD
0,529
0,519
0,499
0,489
14h
Microchip USA
IRLR3915PBF
297
100
Tube
7d

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet12 SeitenVor 15 Jahren

element14 APAC

Newark

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-03-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)

Verwandte Teile

InfineonIRLR3915TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 12 Milliohms;ID 61A;D-Pak (TO-252AA);PD 120W
Details
InfineonIRLR3105PBF
IRLR3105PBF N-channel MOSFET Transistor, 25 A, 55 V, 3-Pin DPAK
Details
InfineonAUIRFR2405
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package
Details
VishaySIS434DN-T1-GE3
Single N-Channel 40 V 0.0076 Ohm 52 W SMT Power Mosfet - PowerPAK-1212-8
Details
onsemiFDD5680
N-Channel 60 V 21 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet TO-252-3
Details
Diodes Inc.DMP4015SK3Q-13
Trans MOSFET P-CH 40V 14A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET P-CH 40V 14A TO252 DPAK
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRLR3915PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 12 Milliohms;ID 61A;D-Pak (TO-252AA);PD 120W
RS (Formerly Allied Electronics)
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
IHS
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; Logic Level
Infineon
MOSFET, N, 55V, 61A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:61A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):14mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:120W; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D-PAK; Current Id Max:30A; Junction to Case Thermal Resistance A:1.3°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:14mohm; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:120W; Power Dissipation Pd:120W; Pulse Current Idm:240A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:55V; Voltage Vgs Max:3V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:3V
element14 APAC

Bilder

Infineon
Augswan
Farnell
Farnell
RS (Formerly Allied Electronics)
TME
iiiC

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFIRLR3915PBF
  • SP001558466