Infineon IRLR3114ZPBF

Single N-Channel 40 V 4.9 mOhm 40 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
$ 2.07
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
RS (Formerly Allied Electronics)IRLR3114ZPBF05Bulk
9h
FarnellIRLR3114ZPBF01
20h
Win SourceWS-IRLR3114ZPBF80.92090
21h
Worldway ElectronicsIRLR3114ZPBF12.6937Tube
21h
Fly-Wing TechnologyIRLR3114ZPBF70.368
2d

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet12 SeitenVor 15 Jahren
Datasheet11 SeitenVor 15 Jahren

element14 APAC

iiiC

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
InfineonIRLR3114ZPBF
InfineonIRLR3114ZTRPBF
InfineonIRLR3114ZTRPBF
Price @ 1000
$ 2.07
$ 0.537
$ 0.537
Stock
625,075
789,969
789,969
Authorized Distributors
2
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
40 V
40 V
Continuous Drain Current (ID)
42 A
42 A
42 A
Threshold Voltage
2.5 V
1 V
1 V
Rds On Max
4.9 mΩ
4.9 mΩ
4.9 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
16 V
16 V
Power Dissipation
140 W
140 W
140 W
Input Capacitance
3.81 nF
3.81 nF
3.81 nF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-05-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15

Verwandte Teile

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRLR3114ZPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Single N-Channel 40 V 4.9 mOhm 40 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
Future Electronics
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 40V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
IHS
Benefits: Advanced Process Technology; Ultra Low On-Resistance; 175C Operating Temperature; Fast Switching; Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax; Logic Level | Target Applications: AC-DC; Battery Operated Drive
Infineon
MOSFET, N D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:130A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):4.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation Pd:140W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Charge Qrr @ Tj = 25°C Typ:40nC; Current Id Max:42A; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:140W; Power Dissipation Pd:140W; Pulse Current Idm:500A; Termination Type:SMD; Voltage Vgs Max:16V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC

Bilder

Infineon
Distrelec
element14
RS (Formerly Allied Electronics)
TME
Conrad
Distrelec
iiiC
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFIRLR3114ZPBF
  • SP001568538