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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-05-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2009-11-04
LTD Date2010-05-04
Verwandte Teile
InfineonIPD90N04S404ATMA1
Trans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / OptiMOS-T2 Power-Transistor
InfineonIPD90N04S405ATMA1
40V, N-Ch, 5.2 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T2, PG-TO252-3, RoHS
InfineonIPD50N04S308ATMA1
N-Channel MOSFET 68W(Tc) 20V 4V@40µA 35nC@10V 40V 7.5mΩ@50A,10V 50A 2.35nF@25V TO-252 SMD
VishaySQD50P04-13L_GE3
SQD50P04-13L Series P-Channel 40 V 13 mOhms 83 W SMT Power Mosfet - TO-252-3
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDD8444L, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 40V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 40V, 0.0107ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
153W(Tc) 20V 3V@ 250µA 60nC@ 5V 1individualNChannel 40V 5.2mΩ@ 50A,10V 50A 5.53nF@25V TO-252AA SMD mount 6.73mm*6.22mm*2.39mm
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:40V; Continuous Drain Current, Id:50A; On Resistance, Rds(on):3.5mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.8V ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)16 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance10.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time19.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.53 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation153 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation153 W
Rds On Max5.2 mΩ
Rise Time46 ns
Turn-Off Delay Time42 ns
Turn-On Delay Time18.7 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen