Infineon IRFR3710ZPBF

Name: Infineon IRFR3710ZPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFR3710ZPBF

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 15Milliohms; ID 56A; D-Pak (TO-252AA); -55deg

$ 1.71

Obsolete

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Preis und Lagerbestand

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Distributor		SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)		IRFR3710ZPBF	0	5	Bulk	1,940	1,710	1,710	1,710	1d
Farnell	2	IRFR3710ZPBF.	0	5		0,661*	0,483*	0,451*	0,451*	10h
Microchip USA		IRFR3710ZPBF	364	3K	Tube				0,568	3d
Sensible Micro		IRFR3710ZPBF	51				1,053	0,975	0,975	>1wk
Win Source		WS-IRFR3710ZPBF	40.220	110				0,360	0,360	11h

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Farnell

Datasheet13 SeitenVor 10 Jahren

Datasheet12 SeitenVor 21 Jahren

Newark

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

TME

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2003-07-31

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

LTB Date2018-12-15

LTD Date2019-06-15

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFR3710ZPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 15Milliohms;ID 56A;D-Pak (TO-252AA);-55deg

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 100 V 18 mOhm 69 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA

Future Electronics

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

Infineon SCT

Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

IHS

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature | Target Applications: AC-DC; Lighting LED

Infineon

N Channel Mosfet, 100V, 56A, D-Pak; Transistor Polarity:n Channel; Continuous Drain Current Id:42A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(On):0.018Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V Rohs Compliant: Yes

Newark

Bilder

RS (Formerly Allied Electronics)

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

IRFR 3710ZPBF
IRFR3710ZP BF
IRFR3710ZPBF.
IRFR3710ZPBF..
SP001555090

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageDPAK

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)42 A

Current Rating42 A

Drain to Source Breakdown Voltage100 V

Drain to Source Resistance18 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)100 V

Dual Supply Voltage100 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time42 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance2.93 nF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation140 W

Min Breakdown Voltage100 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs4 V

Number of Elements1

On-State Resistance18 mΩ

Package Quantity3000

Power Dissipation140 W

Rds On Max18 mΩ

Recovery Time53 ns

Resistance18 MΩ

Rise Time43 ns

TerminationSMD/SMT

Threshold Voltage4 V

Turn-Off Delay Time53 ns

Turn-On Delay Time14 ns

Voltage Rating (DC)100 V

Dimensions

Height2.2606 mm

Length6.1976 mm