Infineon IRLL014NPBF

Name: Infineon IRLL014NPBF
Brand: Infineon
SKU: IRLL014NPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 55V; Rds(on) 0.14 Ohm; Id 2.8A; SOT-223; Pd 2.1W; Vgs +/-16V

Obsolete

Herstellerseite Datenblatt

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRLL014NPBF	0	2320	Bulk					0,590	18h
Farnell	IRLL014NPBF	0	1		0,553*	0,553*	0,553*	0,553*	0,553*	5h
Win Source	WS-IRLL014NPBF	50.130	285					0,160	0,138	5h
Worldway Electronics	IRLL014NPBF	15.110	7	Tube		0,135	0,132	0,127	0,124	1d
Voyager Components	IRLL014NPBF-IR-1005	900			0,754	0,754	0,570	0,318	0,318	11h

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Datenblätter und Dokumente

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Newark

Datasheet9 SeitenVor 22 Jahren

IHS

element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

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Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1996-10-07

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2018-12-15

LTD Date2019-06-15

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRLL014NPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.14Ohm;ID 2.8A;SOT-223;PD 2.1W;VGS +/-16V

RS (Formerly Allied Electronics)

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package, SOT223-4, RoHS

Infineon SCT

Single N-Channel 55 V 0.28 Ohm 14 nC HEXFET® Power Mosfet - SOT-223

Future Electronics

MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SOT-223 Polarity: N Power dissipation: 2.1 W

Distrelec

Trans MOSFET N-CH 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Tube

Verical

Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 55V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA

IHS

Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; Logic Level

Infineon

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:55V; Continuous Drain Current, Id:2A; On Resistance, Rds(on):140mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:SOT-223 ;RoHS Compliant: Yes

Newark

MOSFET, N, 55V, 2A, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):140mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:2.1W; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:2A; Current Temperature:25°C; External Depth:7.3mm; External Length / Height:1.7mm; External Width:6.7mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:60°C/W; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-223; Power Dissipation Pd:2.1W; Power Dissipation Pd:2.1W; Pulse Current Idm:16A; SMD Marking:LL014N; Tape Width:12mm; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:55V; Voltage Vgs Max:2V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2V

element14 APAC

Bilder

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

IRFIRLL014NPBF
IRLL 014NPBF
IRLL014NPBF.
SP001550472

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-223

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals4

Technical

Continuous Drain Current (ID)2 A

Current Rating2 A

Drain to Source Breakdown Voltage55 V

Drain to Source Resistance140 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)55 V

Dual Supply Voltage55 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time2.9 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)16 V

Input Capacitance230 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation2.1 W

Min Breakdown Voltage55 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs2 V

Number of Elements1

On-State Resistance140 mΩ

Package Quantity1760

PackagingBulk

Power Dissipation2.1 W

Rds On Max140 mΩ

Recovery Time61 ns

Resistance200 mΩ

Rise Time4.9 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage2 V

Turn-Off Delay Time14 ns

Turn-On Delay Time5.1 ns

Voltage Rating (DC)55 V

Dimensions

Height1.4478 mm

Length6.6802 mm