onsemi HUFA75307T3ST
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Lieferkette
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-12-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-06-20
LTD Date2022-12-20
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Verwandte Teile
InfineonIRFL024NTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.075Ohm;ID 2.8A;SOT-223;PD 1W;VGS +/-20V
InfineonIRFL024NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.075Ohm;ID 2.8A;SOT-223;PD 1W;VGS +/-20V
InfineonIRLL024NPBF
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 0.065ohm; 2.1W; -55+150 deg.C; SMD; SOT223
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi HUFA75307T3ST, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor,Mosfet,N-Channel,55V V(Br)Dss,2.6A I(D),Sot-223 Rohs Compliant: Yes
N-Channel UltraFET Power MOSFET 55V, 2.6A, 90mΩ
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.6A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
55V, 2.6A, 0.090 OHM, NCH ULTRAFET POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 55V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
MOSFETs 15a, 55V N-Channel UltraFET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-223
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight188 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.6 A
Current Rating2.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance90 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance250 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.1 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation1.1 W
Rds On Max90 mΩ
Rise Time30 ns
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Dimensions
Height1.8 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen