Infineon IRFL014NTRPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 55V; Rds(on) 0.16 Ohm; Id 1.9A; SOT-223; Pd 2.1W; Vgs +/-20V
$ 0.28
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
Newark
3
IRFL014NTRPBF2921Cut Tape
Future Electronics
2
IRFL014NTRPBF105.0002500Tape & Reel
RutronikTMOSS67662.5002500
11h
Rochester ElectronicsIRFL014NTRPBF150
4h
Arrow Electronics
2
IRFL014NTRPBF2.6651

Datenblätter und Dokumente

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Newark

Datasheet9 SeitenVor 21 Jahren
Datasheet8 SeitenVor 21 Jahren

Arrow Electronics

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-01-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFL014NTRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.16Ohm;ID 1.9A;SOT-223;PD 2.1W;VGS +/-20V
RS (Formerly Allied Electronics)
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R / MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Win Source
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package, SOT223-4, RoHS
Infineon SCT
HEXFET Power MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 55V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA
ComSIT Distribution GmbH
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:55V; Continuous Drain Current Id:1.9A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:1W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRFL014NTRPBF.
Newark
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Infineon
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 1.9 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 55 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 160 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 3.3 / Rise Time ns = 7.1 / Turn-OFF Delay Time ns = 12 / Turn-ON Delay Time ns = 6.6 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-223 / Pins = 4 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 2.1
Distrelec

Bilder

Infineon
Farnell
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TME
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Future Electronics
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Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFL014NTRPBF.
  • SP001554878