Infineon IRL1104LPBF
Obsolete
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Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRL1104LPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 40 V 0.008 Ohm 68 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262-3
MOSFET, 40V, 104A, 8 MOHM, 45.3 NC QG, LOGIC LEVEL, TO-262
Power Field-Effect Transistor, 104A I(D), 40V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:40V; Continuous Drain Current, Id:104A; On Resistance, Rds(on):8mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-262 ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)104 A
Current Rating104 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time64 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance3.445 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation167 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation167 W
Rds On Max8 mΩ
Resistance8 mΩ
Rise Time257 ns
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height10.54 mm
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