onsemi FDI9409-F085
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Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2016-01-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2020-01-16
LTD Date2020-07-16
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
Verwandte Teile
InfineonIPI80N04S403AKSA1
40V, N-Ch, 3.7 mΩ max, Automotive MOSFET, I2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO262-3-3, RoHS
InfineonIPI80N04S404AKSA1
40V, N-Ch, 4.6 mΩ max, Automotive MOSFET, I2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO262-3-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDI9409-F085, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 40V, 80A, 3.8mΩ
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-262AA
MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
N-Channel Powertrench Mosfet / Rail
FDI9409 - N-CHANNEL POWERTRENCH
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight2.084 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Resistance3.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Input Capacitance2.98 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation94 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max3.8 mΩ
Schedule B8541290080
Datenblätter und Dokumente
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