Infineon IRGR2B60KDPBF
$ 0.717
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IRGR2B60KDPBF | 933 | 18h | |||||||||
| Farnell | IRGR2B60KDPBF | 0 | 1 | 4h | ||||||||
| Microchip USA | IRGR2B60KDPBF | 212 | 3K | Tube | 11h | |||||||
| Verical | IRGR2B60KDPBF | 886 | 348 | |||||||||
| Win Source | WS-IRGR2B60KDPBF | 11.000 | 50 | 19h |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRGR2B60KDPBF herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-01-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-06-30
LTD Date2018-12-31
Verwandte Teile
InfineonIRGR3B60KD2TRP
52W 7.8A 600V NPT (non-penetrating type) DPAK IGBT Transistors / Modules ROHS
STMicroelectronicsSTGD3NB60SDT4
Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 48000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
InfineonIRGR3B60KD2TRRP
Trans IGBT Chip N-CH 600V 7.8A 52000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / IGBT 600V 7.8A 52W DPAK
onsemiSGR6N60UFTM
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-CHANNEL SINGLE IGBT Transistor 2.6V @ 15V 3A 6A 30W 15ns/60ns
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRGR2B60KDPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Compliant Surface Mount No SVHC TO-252-3 3 Obsolete (Last Updated: 2 years ago) 3000
600V IGBT with UltraFast Soft Recovery Diode, DPAKCOPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Target Applications: Dishwasher; Fan; Lighting HID; Refridgeration
Trans IGBT Chip N-CH 600V 6.3A 35W 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 6.3A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
IGBT, SINGLE, 600V, 6.3A, TO-252AA-3
TUBE / IG,COPAK DPAK,G5,U,U,N,0.5,600
IGBT, SINGLE, 600V, 6.3A, TO-252AA-3; DC Collector Current: 6.3A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.95V; Power Dissipation Pd: 35W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-252AA; No.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.95 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Continuous Collector Current6.3 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time75 ns
Max Collector Current6.3 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation35 W
Min Operating Temperature-55 °C
Package Quantity3000
Power Dissipation35 W
Reverse Recovery Time68 ns
Rise Time25 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time150 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height2.52 mm
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRGR2B60KDPBF herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen