STMicroelectronics STGD3NB60SDT4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 48000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Future Electronics

Datasheet9 SeitenVor 22 Jahren

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 week ago)

Verwandte Teile

Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3-Pin (2+Tab) DPAK T/R
Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252
Trans IGBT Chip N-CH 600V 7.8A 52000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 7.8A 52000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / IGBT 600V 7.8A 52W DPAK
International RectifierIRGR2B60KDTRRPBF
600V IGBT with UltraFast Soft Recovery Diode, DPAKCOPAK-3, RoHS

Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics STGD3NB60SDT4, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 48000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
N-channel 3 A, 600 V low drop IGBT
600 V-3 A-DPAK N-CHANNEL POWERMESH IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252
IGBTs Insulated Gate Bipolar Transistor N-Ch 600 Volt 3 Amp
Discrete Diode 48W 1.2V 600V 6A TO-252 SMD 6.6mm × 6.2mm × 2.4mm
600V 3A N-Ch IGBT, TO-252, Surface Mount
Igbt |Stmicroelectronics STGD3NB60SDT4

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics